Actualmente, la gran mayoría de los dispositivos electrónicos tienen en su estructura miles de millones de transistores de silicio, de los cuales no existe técnicamente ninguna queja, pero cuando el avance tecnológico comenzó a exigir menores tamaños, esta reducción tuvo que extenderse a los transistores, que comenzaron a ser empequeñecidos más y más para lograr incrementar la velocidad de los dispositivos al acortar la velocidad conque viajan los electrones y aumentar así la capacidad de proceso de los circuitos integrados.
Luego de casi 40 años, la industria está llegando a los límites físicos con el silicio: ya muy pronto no será posible reducir más su tamaño para mejorar su desempeño.
Y es allí donde gana protagonismo su aparente sucesor, el grafeno, un material con 200 veces mayor movilidad de electrones, aunque al ser semi-metálico, la corriente que lo atraviesa al retirar la alimentación no se puede apagar y para que un transistor pueda transmitir las señales digitales 1 y 0 es necesario que pueda prenderse y apagarse.
Los investigadores ya habían logrardo previamente manipular el grafeno para que pueda encenderse y apagarse, pero esto reducía radicalmente su movilidad, con lo cual su utilidad como reemplazo del silicio se había puesto en duda.
Pero ahora el Instituto de Electrónica Avanzada de Samsung, replanteando los principios básicos de los interruptores digitales, logró apagar la corriente del grafeno sin degradar su movilidad mediante el control de la altura de una barrera de grafeno y silicio llamada Schottky.
El nuevo dispositivo se denomina Barristor y las pruebas han demostrado que es capaz de funcionar correctamente a altas frecuencias de trabajo, abriendo la puerta al desarrollo de nuevos y superpotentes microprocesadores que podrán superar fácilmente el centenar de GHz.
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