Investigadores del Microsystems Technology Laboratories ( MIT ) han desarrollado el transistor más pequeño de arseniuro de galio (metal-óxido semiconductor ) que jamás se ha hecho, con un tamaño de 22 nanómetros.
El transistor podría producir más corriente que los basados en silicio, lo que significa que podrían insertarse más transistores en los chips mejorando el rendimiento de los transistores.
El desarrollo es un paso alentador en la dirección correcta, pero el equipo del MIT tiene todavía un largo camino por delante antes de que la tecnología se manifieste en los gadgets.
El siguiente paso para los científicos será mejorar el rendimiento eléctrico del transistor y reducir el tamaño a menos de 10 nanómetros.
El transistor podría producir más corriente que los basados en silicio, lo que significa que podrían insertarse más transistores en los chips mejorando el rendimiento de los transistores.
El siguiente paso para los científicos será mejorar el rendimiento eléctrico del transistor y reducir el tamaño a menos de 10 nanómetros.
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