jueves, 8 de diciembre de 2011

FÍSICA CUÁNTICA APLICADA A LA REDUCCIÓN DE CONSUMO DE ENERGÍA

Aplicada a una nueva generación de transistores, la física cuántica podría ayudar a reducir de forma radical el consumo de energía en dispositivos electrónicos, según expresaron los especialistas europeos que trabajan en esta innovación, intentando aplicar el llamado efecto de túnel cuántico, que podría reducir drásticamente los tiempos de recarga de batería en los dispositivos móviles a semanas o meses. 
Respecto al desarrollo de superordenadosres, los científicos de la Comisión de Energías Alternativas y de Energía Atómica de Francia, de la Escuela Politécnica Federal de Lausana (EPFL) y del laboratorio de IBM en Suiza, que trabajan en la nueva tecnología, explicaron que los mismos utilizan miles de millones de interruptores CPU (Central Processing Unit) que se basan en la tecnología del efecto de campo ('FET' o 'Field Effect Technology' en inglés). 
Estos transistores utilizan el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Cuentan con dos cámaras, separadas por una barrera de energía, y se activan cuando se inyecta voltaje, y los electrones que estaban en la primera cámara cruzan la barrera de energía y entran en la segunda.
Mientras en los dispositivos actuales el efecto de campo parece haber llegado al límite en lo que se refiere al consumo de energía, los transistores cuánticos 'Túnel-FET' ('TFET' o 'Tunnel Field-Effect Transistors' en inglés), emplean otros principios. 
Según la teoría cuántica, los electrones pueden cruzar la barrera aunque no tengan bastante energía para hacerlo, por lo tanto reduciendo el ancho de la barrera, resulta posible amplificar el efecto cuántico, y la energía que los electrones necesitan para cruzarla se reduce drásticamente. 
En consecuencia, con el efecto de túnel se puede reducir el voltaje de los transistores de 1 voltio a 0,2 voltios, lo que ayudaría a reducir el consumo de energía en un factor de 100. Ya se han creado prototipos de estos chips de nueva generación que combinarán la tecnología convencional con la de túnel y su producción industrial está prevista para 2017.

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